ON Semiconductor FQP7N20

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

63W Tc

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

200V

额定电流

6.6A

元素配置

Single

功率耗散

63W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

690m Ω @ 3.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 10V

上升时间

65ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

35 ns

连续放电电流(ID)

6.6A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

200V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅