ON Semiconductor FQP15P12

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

5 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

100W Tc

Turn Off Delay Time

80 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-120V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-15A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

100W

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

200m Ω @ 7.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1100pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38nC @ 10V

上升时间

100ns

漏源电压 (Vdss)

120V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

80 ns

连续放电电流(ID)

15A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.2Ohm

漏源击穿电压

-120V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅