ON Semiconductor FQP18N50V2

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

208W Tc

Turn Off Delay Time

95 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

电阻

265mOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

500V

额定电流

18A

元素配置

Single

功率耗散

208W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

265mOhm @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3290pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

55nC @ 10V

上升时间

150ns

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

110 ns

连续放电电流(ID)

18A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

500V

双电源电压

500V

输入电容

3.29nF

漏源电阻

225mOhm

最大rds

265 mΩ

栅源电压

5 V

宽度

10.67mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅