ON Semiconductor FQP5N80

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

140W Tc

Turn Off Delay Time

55 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2000

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

2.6Ohm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

800V

额定电流

4.5A

电压

800V

元素配置

Single

电流

48A

功率耗散

140W

接通延迟时间

22 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.6Ohm @ 2.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1250pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33nC @ 10V

上升时间

60ns

漏源电压 (Vdss)

800V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

40 ns

连续放电电流(ID)

4.8A

阈值电压

5V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

800V

双电源电压

800V

输入电容

1.25nF

漏源电阻

2.6Ohm

最大rds

2.6 Ω

栅源电压

5 V

高度

9.4mm

长度

10.1mm

宽度

4.7mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅