ON Semiconductor FQPF33N10L

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

10 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

质量

2.27g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

41W Tc

Turn Off Delay Time

70 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

100V

额定电流

18A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

41W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

52m Ω @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1630pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

40nC @ 5V

上升时间

470ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

120 ns

连续放电电流(ID)

18A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.055Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72A

高度

16.07mm

长度

10.36mm

宽度

4.9mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅