ON Semiconductor FQT4N20LTF

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

18 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

3

质量

188mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

850mA Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.2W Tc

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

已出版

2001

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.35Ohm

电压 - 额定直流

200V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

850mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.2W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.35 Ω @ 425mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

310pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.2nC @ 5V

上升时间

70ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

40 ns

连续放电电流(ID)

850mA

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.85A

漏源击穿电压

200V

雪崩能量等级（Eas）

52 mJ

高度

1.6mm

长度

6.5mm

宽度

3.56mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅