ON Semiconductor FQU1N80TU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

质量

343.08mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 45W Tc

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

800V

额定电流

1A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

195pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.2nC @ 10V

上升时间

25ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

1A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

漏源击穿电压

800V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

4A

雪崩能量等级（Eas）

90 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅