ON Semiconductor FQU2N100TU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

质量

343.08mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 50W Tc

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

1kV

额定电流

1.6A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9 Ω @ 800mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

520pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15.5nC @ 10V

上升时间

30ns

漏源电压 (Vdss)

1000V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

35 ns

连续放电电流(ID)

1.6A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

9Ohm

漏源击穿电压

1kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6.4A

高度

7.57mm

长度

6.8mm

宽度

2.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅