ON Semiconductor FQU6N25TU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 45W Tc

Turn Off Delay Time

7.5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

250V

额定电流

4.4A

元素配置

Single

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1 Ω @ 2.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.5nC @ 10V

上升时间

65ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

4.4A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

250V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅