ON Semiconductor H11A3M

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

6

质量

854.993268mg

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current Transfer Ratio-Min

20% @ 10mA

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~100°C

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

附加功能

UL RECOGNIZED, VDE APPROVED

最大功率耗散

250mW

电压-隔离度

7500Vpk

输出电压

30V

输出类型

带基极晶体管

配置

SINGLE

功率耗散

250mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.18V

输入类型

DC

光电子器件类型

晶体管输出光耦合器

正向电流

60mA

上升时间

2μs

集电极发射器电压(VCEO)

30V

反向击穿电压

6V

接通 / 关断时间（典型值）

2μs, 2μs

电流传输比

20%

暗电流（最大）

50nA

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅