ON Semiconductor H11A5

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

6

Number of Elements

1

Current Transfer Ratio-Min

30% @ 10mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

包装

Tube

已出版

2003

操作温度

-55°C~100°C

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

附加功能

UL RECOGNIZED, VDE APPROVED

最大功率耗散

250mW

Reach合规守则

unknown

电压-隔离度

5300Vrms

输出电压

30V

输出类型

带基极晶体管

配置

SINGLE

通道数量

1

功率耗散

200mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.18V

输入类型

DC

光电子器件类型

晶体管输出光耦合器

正向电流

50mA

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

反向击穿电压

6V

最大直流驱动电流（If）

100mA

接通 / 关断时间（典型值）

2μs, 2μs

电流传输比

30%

暗电流（最大）

50nA

RoHS状态

符合RoHS标准