ON Semiconductor H11A817B300

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

4-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

4

供应商器件包装

4-DIP

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

Current Transfer Ratio-Min

130% @ 5mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~100°C

包装

Tube

已出版

2003

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

100°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

200mW

电压-隔离度

5300Vrms

输出电压

70V

输出类型

Transistor

通道数量

1

电路数量

1

功率耗散

200mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.2V

输入类型

DC

正向电流

50mA

每个通道的输出电流

50mA

上升时间

18μs

正向电压

1.5V

下降时间（典型值）

18 μs

集电极发射器电压(VCEO)

70V

最大集电极电流

50mA

上升/下降时间(Typ)

2.4μs 2.4μs

反向击穿电压

6V

最大直流驱动电流（If）

50mA

电流传输比（最大）

260% @ 5mA

Vce 饱和度（最大值）

200mV

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅