ON Semiconductor H11AA1W

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.400, 10.16mm)

引脚数

6

供应商器件包装

6-DIP

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current Transfer Ratio-Min

20% @ 10mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~100°C

包装

Tube

已出版

2001

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

100°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

350mW

电压-隔离度

5300Vrms

输出电压

30V

输出类型

带基极晶体管

通道数量

1

功率耗散

350mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.2V

输入类型

AC, DC

正向电流

100mA

正向电压

1.5V

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大直流驱动电流（If）

100mA

Vce 饱和度（最大值）

400mV

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅