ON Semiconductor H11D1M

工厂交货时间

5 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

6

供应商器件包装

6-DIP

质量

855mg

Number of Elements

1

Current Transfer Ratio-Min

20% @ 10mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

操作温度

-40°C~100°C

包装

Tube

已出版

2000

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

100°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

300mW

电压-隔离度

4170Vrms

输出类型

带基极晶体管

通道数量

1

功率耗散

300mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.15V

输入类型

DC

正向电流

80mA

最大输出电压

300V

每个通道的输出电流

100mA

上升时间

5μs

正向电压

1.15V

下降时间（典型值）

5 μs

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

100mA

反向击穿电压

6V

最大输入电流

80mA

最大直流驱动电流（If）

80mA

接通 / 关断时间（典型值）

5μs, 5μs

Vce 饱和度（最大值）

400mV

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅