ON Semiconductor H11F1M

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

6

质量

855mg

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~100°C

包装

Tube

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

UL 认证

最大功率耗散

300mW

电压-隔离度

7500Vpk

输出电压

30V

输出类型

MOSFET

配置

SINGLE

通道数量

1

功率耗散

300mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.3V

输入类型

DC

光电子器件类型

fet输出光耦合器

正向电流

60mA

最大输出电压

30V

反向击穿电压

5V

最大输入电流

60mA

输入电流

60mA

通态电流最大值

1A

接通 / 关断时间（典型值）

45μs, 45μs (Max)

反向电压(直流电)

5V

最小击穿电压

30V

响应时间-最大

0.000025s

高度

3.53mm

长度

8.89mm

宽度

6.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅