ON Semiconductor H11G1M

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

6

质量

855mg

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Current Transfer Ratio-Min

1000% @ 10mA

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~100°C

包装

Tube

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

UL 认证

最大功率耗散

260mW

电压-隔离度

4170Vrms

输出类型

带底座的达林顿

配置

SINGLE

通道数量

1

功率耗散

260mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.3V

输入类型

DC

光电子器件类型

达林顿输出光耦合器

正向电流

60mA

最大输出电压

100V

上升时间

5μs

下降时间（典型值）

100 μs

集电极发射器电压(VCEO)

1V

反向击穿电压

6V

最大输入电流

60mA

反向电压(直流电)

6V

电流传输比

1000%

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅