ON Semiconductor H11G2

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

6

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Current Transfer Ratio-Min

1000% @ 10mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~100°C

包装

Tube

已出版

2000

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

260mW

电压-隔离度

5300Vrms

输出电压

80V

输出类型

带底座的达林顿

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

功率耗散

260mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.3V

输入类型

DC

光电子器件类型

达林顿输出光耦合器

正向电流

60mA

上升时间

5μs

集电极发射器电压(VCEO)

80V

反向击穿电压

6V

接通 / 关断时间（典型值）

5μs, 100μs

电流传输比

1000%

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅