ON Semiconductor H11G3300W

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.400, 10.16mm)

引脚数

6

供应商器件包装

6-DIP

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2V

Current Transfer Ratio-Min

200% @ 1mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~100°C

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

100°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

260mW

电压-隔离度

5300Vrms

输出电压

55V

输出类型

带底座的达林顿

通道数量

1

电路数量

1

功率耗散

260mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.3V

输入类型

DC

正向电流

60mA

上升时间

5μs

正向电压

1.5V

集电极发射器电压(VCEO)

55V

反向击穿电压

6V

最大直流驱动电流（If）

60mA

接通 / 关断时间（典型值）

5μs, 100μs

Vce 饱和度（最大值）

1.2V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅