ON Semiconductor HGT1S12N60A4S9A
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HGT1S12N60A4S9A
1807-HGT1S12N60A4S9A
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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IGBT 600V 54A 167W TO263AB
1最小包装量--
HGT1S12N60A4S9A详情
ON Semiconductor HGT1S12N60A4S9A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Current-Collector (Ic) (Max)
54A
Test Conditions
390V, 12A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
Reach合规守则
compliant
基本部件号
HGT1S12N60
输入类型
Standard
功率 - 最大
167W
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.7V @ 15V, 12A
闸门收费
78nC
集极脉冲电流(Icm)
96A
Td(开/关)@25°C
17ns/96ns
开关能量
55μJ (on), 50μJ (off)
HGT1S12N60A4S9A拓展信息
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