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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥17.467274
10
¥16.478556
100
¥15.54581
500
¥14.665855
1000
¥13.835717
ON Semiconductor HGT1S14N41G3VLT
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- 对比
HGT1S14N41G3VLT
1807-HGT1S14N41G3VLT
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
4-SMD, No Lead
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 18A I(C), 445V V(BR)CES, N-CHANNEL
--最小包装量--
¥
总价: ¥
HGT1S14N41G3VLT详情
ON Semiconductor HGT1S14N41G3VLT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
YES
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
SG-8101
厂商
EPSON
Product Status
活跃
Package Description
,
Operating Temperature-Max
175 °C
Manufacturer Part Number
HGT1S14N41G3VLT
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Rise Time-Max (tr)
3800 ns
Risk Rank
5.83
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
SG-8101
尺寸/尺寸
0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)
类型
XO (Standard)
子类别
绝缘栅BIP晶体管
电压 - 供电
1.8V ~ 3.3V
Reach合规守则
unknown
频率
41.9979 MHz
频率稳定性
±15ppm
输出量
CMOS
功能
Enable/Disable
基本谐振器
Crystal
最大电流源
6.8mA (Typ)
电流 - 电源(禁用)(最大值)
3.5mA
扩频带宽
-
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
136 W
绝对牵引范围 (APR)
-
集电极电流-最大值(IC)
18 A
集电极-发射器电压-最大值
445 V
栅极-发射极电压-最大值
12 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
2.2 V
座位高度(最大)
0.055 (1.40mm)
评级结果
-
HGT1S14N41G3VLT拓展信息
ON Semiconductor
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