HGT1S14N41G3VLT
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ON Semiconductor HGT1S14N41G3VLT

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型号

HGT1S14N41G3VLT

utmel 编号

1807-HGT1S14N41G3VLT

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

4-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 18A I(C), 445V V(BR)CES, N-CHANNEL

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HGT1S14N41G3VLT
HGT1S14N41G3VLT ON Semiconductor INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 18A I(C), 445V V(BR)CES, N-CHANNEL

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HGT1S14N41G3VLT详情

ON Semiconductor HGT1S14N41G3VLT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    4-SMD, No Lead

  • 表面安装

    YES

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    SG-8101

  • 厂商

    EPSON

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    ,

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Manufacturer Part Number

    HGT1S14N41G3VLT

  • Manufacturer

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

  • Rise Time-Max (tr)

    3800 ns

  • Risk Rank

    5.83

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 系列

    SG-8101

  • 尺寸/尺寸

    0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)

  • 类型

    XO (Standard)

  • 子类别

    绝缘栅BIP晶体管

  • 电压 - 供电

    1.8V ~ 3.3V

  • Reach合规守则

    unknown

  • 频率

    41.9979 MHz

  • 频率稳定性

    ±15ppm

  • 输出量

    CMOS

  • 功能

    Enable/Disable

  • 基本谐振器

    Crystal

  • 最大电流源

    6.8mA (Typ)

  • 电流 - 电源(禁用)(最大值)

    3.5mA

  • 扩频带宽

    -

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大耗散功率(Abs)

    136 W

  • 绝对牵引范围 (APR)

    -

  • 集电极电流-最大值(IC)

    18 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    445 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    12 V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    2.2 V

  • 座位高度(最大)

    0.055 (1.40mm)

  • 评级结果

    -

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技术文档: ON Semiconductor HGT1S14N41G3VLT.

HGT1S14N41G3VLT拓展信息

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MMBTA92LT1G
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SMMBT5551LT1G
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BCP56T1G
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2N3904BU
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