ON Semiconductor HGTP12N60C3
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HGTP12N60C3
1807-HGTP12N60C3
晶体管 - IGBT - 单个
TO-220-3
大陆
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IGBT 600V 24A 104W TO220AB
1最小包装量--
HGTP12N60C3详情
ON Semiconductor HGTP12N60C3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
24A
Number of Elements
1
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
低导通损耗
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
HGTP12N60
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
104W
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
接通时间
48 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 12A
关断时间-标准值(toff)
480 ns
闸门收费
48nC
集极脉冲电流(Icm)
96A
开关能量
380μJ (on), 900μJ (off)
HGTP12N60C3拓展信息
ON Semiconductor
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