ON Semiconductor IMH20TR1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

表面安装

YES

引脚数

6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Collector-Emitter Saturation Voltage

80mV

Number of Elements

2

hFEMin

100

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

15V

最大功率耗散

300mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

600mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

极性

NPN

元素配置

Dual

无卤素

无卤素

晶体管类型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 50mA 5V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

80mV @ 2.5mA, 50mA

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

电阻基(R1)

2.2k Ω

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅