ON Semiconductor 2SD1618T-TD-E

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Collector-Emitter Saturation Voltage

80mV

Current-Collector (Ic) (Max)

700mA

Number of Elements

1

hFEMin

200

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

500mW

终端形式

FLAT

频率

250MHz

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

500mW

箱体转运

COLLECTOR

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

700mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 50mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

80mV @ 10mA, 100mA

转换频率

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

20V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

1.5mm

长度

4.5mm

宽度

2.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅