ON Semiconductor ISL9R18120G2

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-2

引脚数

2

质量

6.33g

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

已出版

2004

系列

Stealth™

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

应用

快速软恢复

附加功能

FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE

HTS代码

8541.10.00.80

电容量

69pF

电压 - 额定直流

1.2kV

额定电流

18A

基本部件号

ISL9R18120

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

100μA @ 1200V

功率耗散

125W

输出电流

18A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

3.3V @ 18A

箱体转运

CATHODE

正向电流

15A

工作温度 - 结点

-55°C~150°C

最大浪涌电流

200A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

1200V

正向电压

3.3V

最大反向电压（DC）

1.2kV

平均整流电流

18A

相位的数量

1

反向恢复时间

70 ns

峰值反向电流

100μA

最大重复反向电压(Vrrm)

1.2kV

峰值非恢复性浪涌电流

200A

反向电压

1.2kV

最大正向浪涌电流（Ifsm）

200A

恢复时间

70 ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅