ON Semiconductor ISL9R18120S3ST
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ISL9R18120S3ST
1807-ISL9R18120S3ST
二极管 - 整流器 - 单
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2
1最小包装量--
ISL9R18120S3ST详情
ON Semiconductor ISL9R18120S3ST重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
2
质量
1.31247g
二极管元件材料
SILICON
Operating Temperature (Min)
-55°C
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max)
150°C
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Stealth™
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
应用
快速软恢复
附加功能
FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
HTS代码
8541.10.00.80
电容量
69pF
电压 - 额定直流
1.2kV
终端形式
鸥翼
额定电流
18A
基本部件号
ISL9R18120
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
100μA @ 1200V
功率耗散
125W
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
3.3V @ 18A
输出电流
18A
箱体转运
CATHODE
正向电流
18A
工作温度 - 结点
-55°C~175°C
最大浪涌电流
200A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
1200V
正向电压
3.3V
最大反向电压(DC)
1.2kV
平均整流电流
18A
相位的数量
1
反向恢复时间
300ns
峰值反向电流
100μA
最大重复反向电压(Vrrm)
1.2kV
峰值非恢复性浪涌电流
200A
反向电压
1.2kV
最大正向浪涌电流(Ifsm)
200A
恢复时间
70 ns
高度
4.83mm
长度
10.67mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ISL9R18120S3ST拓展信息
ON Semiconductor
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