ON Semiconductor ISL9V2540S3S
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ISL9V2540S3S
1807-ISL9V2540S3S
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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IGBT 430V 15.5A 166.7W D2PAK
1最小包装量--
ISL9V2540S3S详情
ON Semiconductor ISL9V2540S3S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
15.5A
Number of Elements
1
Test Conditions
300V, 1k Ω, 5V
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
EcoSPARK®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
ISL9V2540
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Logic
功率 - 最大
166.7W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
电压 - 集射极击穿(最大值)
430V
最大耗散功率(Abs)
166.7W
接通时间
2780 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.8V @ 4V, 6A
关断时间-标准值(toff)
6000 ns
闸门收费
15.1nC
Td(开/关)@25°C
-/3.64μs
栅极-发射极电压-最大值
12V
栅极-发射极Thr电压-最大值
2.2V
ISL9V2540S3S拓展信息
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