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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.430174
10
¥2.292617
100
¥2.162846
500
¥2.040421
1000
¥1.924926
ON Semiconductor J113-D74Z
- 收藏
- 对比
J113-D74Z
1807-J113-D74Z
晶体管 - JFET
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
大陆
立即发货

JFET N-CH 35V 625MW TO92
--最小包装量--
¥
总价: ¥
J113-D74Z详情
ON Semiconductor J113-D74Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Box (TB)
已出版
2006
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
J113
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
功率 - 最大
625mW
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
漏极-源极导通最大电阻
100Ohm
场效应管技术
JUNCTION
最大耗散功率(Abs)
0.4W
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
2mA @ 15V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
500mV @ 1μA
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
35V
电阻-RDS(On)
100Ohm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
J113-D74Z拓展信息
ON Semiconductor
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