ON Semiconductor KSC1173YTSTUA

生命周期状态

EOL (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

165

供应商器件包装

TO-220-3

质量

2.270003 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Manufacturer Lifecycle Status

LIFETIME (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

3 A

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

340AY

Operating Temperature-Max

150 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

KSC1173YTSTUA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

1.51

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

无铅代码

有

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

10 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

Brand Name

安森美半导体

极性

NPN

配置

SINGLE

功率 - 最大

10 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 500mA, 2V

最大集极截止电流

1µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

800mV @ 200mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

30 V

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

30 V

最大耗散功率(Abs)

10 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

3 A

最小直流增益（hFE）

120

集电极-发射器电压-最大值

30 V

VCEsat-最大值

0.8 V

集电极-基极电容-最大值

35 pF