ON Semiconductor KSC1173YTU

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220-3

质量

1.8g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Current-Collector (Ic) (Max)

3A

Number of Elements

1

hFEMin

70

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

10W

额定电流

3A

频率

100MHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

10W

功率 - 最大

10W

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

800mV @ 200mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

30V

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅