ON Semiconductor KSC815OTA

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

底架

通孔

安装类型

通孔

引脚数

3

质量

178.2mg

hFEMin

40

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

150mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

200MHz

Power Dissipation (Max)

400mW

包装

Tape & Box (TB)

操作温度

150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

45V

额定电流

200mA

基本部件号

KSC815

元素配置

Single

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 50mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 15mA, 150mA

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅