ON Semiconductor KSD1691YSTSTU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-126-3

质量

758mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

100mV

Current-Collector (Ic) (Max)

5A

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

1.3W

额定电流

5A

基本部件号

KSD1691

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

1.3W

功率 - 最大

1.3W

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

160 @ 2A 1V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 200mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅