ON Semiconductor KSD2058YTU

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

安装类型

通孔

底架

通孔

质量

2.27g

hFEMin

8

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.5W

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

400 kHz

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

包装

Tube

操作温度

150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

60V

额定电流

3A

频率

400kHz

元素配置

Single

功率耗散

1.5W

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 200mA, 2A

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅