ON Semiconductor KSD363O

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

6A

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

Reach合规守则

compliant

基本部件号

KSD363

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE

功率 - 最大

40W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 1A 5V

最大集极截止电流

1mA ICBO

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

120V

转换频率

10MHz

频率转换

10MHz