ON Semiconductor KSD526O
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KSD526O
1807-KSD526O
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
大陆
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TRANS NPN 80V 4A TO-220
1最小包装量--
KSD526O详情
ON Semiconductor KSD526O重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
4A
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
SINGLE
Reach合规守则
compliant
基本部件号
KSD526
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE
功率 - 最大
30W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 500mA 5V
最大集极截止电流
30μA ICBO
JEDEC-95代码
TO-220AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 300mA, 3A
电压 - 集射极击穿(最大值)
80V
转换频率
8MHz
频率转换
8MHz
KSD526O拓展信息
ON Semiconductor
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