ON Semiconductor KSD880Y

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

hFEMin

60

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

30W

额定电流

3A

频率

3MHz

基本部件号

KSD880

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

功率耗散

30W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

3MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

100μA ICBO

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 300mA, 3A

转换频率

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅