ON Semiconductor KSD882OS
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KSD882OS
1807-KSD882OS
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-225AA, TO-126-3
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TRANS NPN 30V 3A TO-126
1最小包装量--
KSD882OS详情
ON Semiconductor KSD882OS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-225AA, TO-126-3
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
3A
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
KSD882
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
1W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 1A 2V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 200mA, 2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
30V
转换频率
90MHz
频率转换
90MHz
RoHS状态
符合RoHS标准
KSD882OS拓展信息
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