ON Semiconductor KST4123MTF

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

hFEMin

50

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

350mW

额定电流

200mA

频率

250MHz

元素配置

Single

功率耗散

350mW

增益带宽积

250MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 2mA 1V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 5mA, 50mA

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

无铅

无铅