ON Semiconductor MBD770DWT1

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

6

Package Description

R-PDSO-G6

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MBD770DWT1

Power Dissipation (Max)

0.12 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

摩托罗拉半导体产品

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Forward Voltage-Max (VF)

1 V

Risk Rank

5.84

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.10.00.60

子类别

研磨二极管

技术

SCHOTTKY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

二极管类型

混频器芯片

Rep Pk反向电压-最大值

70 V

频带

甚高频转超高频

二极管电容-最大值

1 pF