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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.282586
10
¥4.040173
100
¥3.81149
500
¥3.595739
1000
¥3.392206
ON Semiconductor MBR10100MFST3G
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- 对比
MBR10100MFST3G
1807-MBR10100MFST3G
二极管 - 整流器 - 单
8-PowerTDFN, 5 Leads
大陆
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DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MBR10100MFST3G详情
ON Semiconductor MBR10100MFST3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
9 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN, 5 Leads
二极管元件材料
SILICON
Operating Temperature (Max)
175°C
Operating Temperature (Min)
-55°C
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
应用
EFFICIENCY
附加功能
低功率损耗
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F5
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
100μA @ 100V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
950mV @ 10A
箱体转运
CATHODE
工作温度 - 结点
-55°C~175°C
最大反向电压(DC)
100V
平均整流电流
10A
相位的数量
1
峰值反向电流
100μA
最大重复反向电压(Vrrm)
100V
峰值非恢复性浪涌电流
150A
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MBR10100MFST3G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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