ON Semiconductor MBR120LSFT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)

工厂交货时间

5 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOD-123F

表面安装

YES

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

125°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

自由旋转二极管

HTS代码

8541.10.00.80

电压 - 额定直流

20V

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MBR120

引脚数量

2

极性

Standard

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

400μA @ 20V

输出电流

1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

450mV @ 1A

正向电流

1A

最大反向漏电电流

400μA

工作温度 - 结点

-55°C~125°C

最大浪涌电流

50A

无卤素

无卤素

正向电压

450mV

最大反向电压（DC）

20V

平均整流电流

1A

峰值反向电流

400μA

最大重复反向电压(Vrrm)

20V

峰值非恢复性浪涌电流

50A

最大正向浪涌电流（Ifsm）

50A

高度

880μm

长度

2.9mm

宽度

1.8mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅