ON Semiconductor MBR2535CTLG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

9 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

二极管元件材料

SILICON

Breakdown Voltage / V

35V

Number of Elements

2

包装

Tube

系列

SWITCHMODE™

已出版

1997

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

应用

EFFICIENCY

附加功能

低功率损耗

HTS代码

8541.10.00.80

电容量

500pF

电压 - 额定直流

35V

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

12.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

元素配置

共阴极

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

5mA @ 35V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

470mV @ 12.5A

正向电流

25A

最大反向漏电电流

5mA

工作温度 - 结点

-65°C~150°C

最大浪涌电流

150A

正向电压

550mV

最大反向电压（DC）

35V

平均整流电流

12.5A

相位的数量

1

峰值反向电流

5mA

最大重复反向电压(Vrrm)

35V

JEDEC-95代码

TO-220AB

峰值非恢复性浪涌电流

150A

二极管配置

1 Pair Common Cathode

最大正向浪涌电流（Ifsm）

150A

高度

9.28mm

长度

10.28mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅