ON Semiconductor MBR835RL

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-201AA, DO-27, Axial

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

125°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

应用

EFFICIENCY

附加功能

LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE

HTS代码

8541.10.00.80

电压 - 额定直流

35V

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

8A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

2

JESD-30代码

R-PALF-W2

资历状况

不合格

极性

Standard

配置

SINGLE

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

1mA @ 35V

输出电流

8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

550mV @ 8A

箱体转运

ISOLATED

工作温度 - 结点

-65°C~125°C

最大反向电压（DC）

35V

平均整流电流

8A

相位的数量

1

JEDEC-95代码

DO-201AD

最大非代表Pk前进电流

140A

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅