ON Semiconductor MBRA130LT3G

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

DO-214AC, SMA

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

2

质量

4.535924g

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Min)

-55°C

Operating Temperature (Max)

125°C

Breakdown Voltage / V

30V

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

自由旋转二极管

HTS代码

8541.10.00.80

电压 - 额定直流

30V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MBRA130

JESD-30代码

R-PSSO-G1

极性

Standard

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

1mA @ 30V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

410mV @ 1A

输出电流

1A

箱体转运

CATHODE

正向电流

1A

最大反向漏电电流

1mA

工作温度 - 结点

-55°C~125°C

最大浪涌电流

25A

无卤素

无卤素

正向电压

410mV

最大反向电压（DC）

30V

平均整流电流

1A

峰值反向电流

1mA

最大重复反向电压(Vrrm)

30V

峰值非恢复性浪涌电流

25A

最大正向浪涌电流（Ifsm）

25A

长度

4.5466mm

高度

2.0574mm

宽度

2.921mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅