ON Semiconductor MBRA130LT3G
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MBRA130LT3G
1807-MBRA130LT3G
二极管 - 整流器 - 单
DO-214AC, SMA
大陆
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DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMA
--最小包装量--
MBRA130LT3G详情
ON Semiconductor MBRA130LT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-214AC, SMA
表面安装
YES
引脚数
2
质量
4.535924g
二极管元件材料
SILICON
Breakdown Voltage / V
30V
Number of Elements
1
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
125°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
自由旋转二极管
HTS代码
8541.10.00.80
电压 - 额定直流
30V
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
1A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MBRA130
引脚数量
2
JESD-30代码
R-PSSO-G1
极性
Standard
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
1mA @ 30V
输出电流
1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
410mV @ 1A
箱体转运
CATHODE
正向电流
1A
最大反向漏电电流
1mA
工作温度 - 结点
-55°C~125°C
最大浪涌电流
25A
无卤素
无卤素
正向电压
410mV
最大反向电压(DC)
30V
平均整流电流
1A
峰值反向电流
1mA
最大重复反向电压(Vrrm)
30V
峰值非恢复性浪涌电流
25A
最大正向浪涌电流(Ifsm)
25A
高度
2.0574mm
长度
4.5466mm
宽度
2.921mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MBRA130LT3G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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