ON Semiconductor MBRD5H100T4G
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MBRD5H100T4G
1807-MBRD5H100T4G
二极管 - 整流器 - 单
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Diode Schottky 100V 5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
--最小包装量--
MBRD5H100T4G详情
ON Semiconductor MBRD5H100T4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SWITCHMODE™
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-65°C
应用
POWER
附加功能
自由旋转二极管
HTS代码
8541.10.00.80
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MBRD5H100
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
3.5μA @ 100V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
710mV @ 5A
箱体转运
CATHODE
正向电流
5A
最大反向漏电电流
3.5μA
工作温度 - 结点
-65°C~175°C
最大浪涌电流
105A
输出电流-最大值
5A
无卤素
无卤素
正向电压
710mV
最大反向电压(DC)
100V
平均整流电流
5A
相位的数量
1
峰值反向电流
3.5μA
最大重复反向电压(Vrrm)
100V
峰值非恢复性浪涌电流
105A
最大正向浪涌电流(Ifsm)
105A
高度
2.38mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MBRD5H100T4G拓展信息
ON Semiconductor
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