ON Semiconductor MBRD660CTG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

供应商器件包装

DPAK

Breakdown Voltage / V

60V

包装

Tube

系列

SWITCHMODE™

已出版

2006

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

60V

额定电流

6A

基本部件号

MBRD660CT

元素配置

共阴极

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

100μA @ 60V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

700mV @ 3A

正向电流

6A

工作温度 - 结点

-65°C~175°C

无卤素

无卤素

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

60V

平均整流电流（Io）

3A

正向电压

900mV

最大反向电压（DC）

60V

平均整流电流

3A

峰值反向电流

100μA

最大重复反向电压(Vrrm)

60V

峰值非恢复性浪涌电流

75A

二极管配置

1 Pair Common Cathode

最大正向浪涌电流（Ifsm）

75A

高度

2.38mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅