ON Semiconductor MBRD835L

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

二极管元件材料

SILICON

Breakdown Voltage / V

35V

Number of Elements

1

包装

Tube

系列

SWITCHMODE™

已出版

2005

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

应用

POWER

附加功能

自由旋转二极管

HTS代码

8541.10.00.80

电压 - 额定直流

35V

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

8A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

MBRD835

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

极性

Standard

元素配置

共阳极

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

1.4mA @ 35V

输出电流

8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

510mV @ 8A

箱体转运

CATHODE

最大反向漏电电流

1.4mA

工作温度 - 结点

-65°C~150°C

最大浪涌电流

75A

正向电压

510mV

最大反向电压（DC）

35V

平均整流电流

8A

相位的数量

1

峰值非恢复性浪涌电流

75A

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅