ON Semiconductor MBRD835LT4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)

工厂交货时间

14 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

包装

Cut Tape (CT)

系列

SWITCHMODE™

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

应用

POWER

附加功能

自由旋转二极管

HTS代码

8541.10.00.80

电压 - 额定直流

35V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

8A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MBRD835

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

极性

Standard

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

1.4mA @ 35V

输出电流

8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

510mV @ 8A

箱体转运

CATHODE

正向电流

8A

最大反向漏电电流

1.4mA

工作温度 - 结点

-65°C~150°C

最大浪涌电流

75A

无卤素

无卤素

正向电压

510mV

最大反向电压（DC）

35V

平均整流电流

8A

相位的数量

1

峰值反向电流

1.4mA

最大重复反向电压(Vrrm)

35V

峰值非恢复性浪涌电流

75A

最大正向浪涌电流（Ifsm）

75A

高度

2.2606mm

长度

6.1976mm

宽度

6.731mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅