ON Semiconductor MBT3906DW1T1

生命周期状态

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包装/外壳

SOT-363-6

表面安装

YES

引脚数

6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-400mV

Number of Elements

2

hFEMin

60

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2007

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-40V

最大功率耗散

150mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-200mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

6

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Dual

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

250MHz

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

200mA

转换频率

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

-40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

最小直流增益（hFE）

30

关断时间-最大值（toff)

300ns

接通时间-最大值(ton)

70ns

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅