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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.38372
10
¥6.965773
100
¥6.571484
500
¥6.199513
1000
¥5.848598
ON Semiconductor MC33153DR2G
- 收藏
- 对比
MC33153DR2G
1807-MC33153DR2G
PMIC - 栅极驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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ON SEMICONDUCTOR MC33153DR2G. IGBT GATE DRIVER, 2A, SOIC-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MC33153DR2G详情
ON Semiconductor MC33153DR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
9 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Driver Configuration
Low-Side
Logic voltage-VIL, VIH
1.2V 3.2V
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1998
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 供电
11V~20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
15V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MC33153
引脚数量
8
输出的数量
1
最大输出电流
2A
电源电流
20mA
输入类型
Inverting
无卤素
无卤素
上升/下降时间(Typ)
17ns 17ns
接口IC类型
基于缓冲器或反相器的外设驱动器
信道型
Single
接通时间
0.3 µs
闸门类型
IGBT, N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
1A 2A
关断时间
0.3 µs
内置保护器
OVER CURRENT; OVER VOLTAGE
输出电流流向
SINK
长度
4.9mm
宽度
3.9mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MC33153DR2G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







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