ON Semiconductor MCH3377-TL-W
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MCH3377-TL-W
1807-MCH3377-TL-W
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-SMD, Flat Lead
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MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES
--最小包装量--
MCH3377-TL-W详情
ON Semiconductor MCH3377-TL-W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-SMD, Flat Lead
引脚数
3
质量
124.596154mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Ta
Turn Off Delay Time
42 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子位置
DUAL
Reach合规守则
not_compliant
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
8.1 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
83m Ω @ 1.5A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
375pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.6nC @ 4.5V
上升时间
26ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±10V
下降时间(典型值)
37 ns
连续放电电流(ID)
3A
栅极至源极电压(Vgs)
10V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MCH3377-TL-W拓展信息
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